用以制备一半导体表面而沉积一阻隔材料之方法及组成物

摘要

本发明提供一种用于制造一半导体设备(10)之方法，其包括在一化学机械研磨(CMP)制程之后清洁一半导体晶圆以移除或减少铜粒子、一诸如三唑之腐蚀抑制剂及铜层(19)上之一氧化铜层。为准备以一充当铜迁移或扩散之一阻隔之层(26)电镀该铜层，该铜层之表面及介电层(20)以一氧化剂、一界面活性剂及铜螯合剂处理。铜螯合较佳为一诸如一有机酸之弱酸。该氧化剂尤其可用于移除该腐蚀抑制剂。接着于该铜层(19)之表面上电镀较佳导电之阻隔层(26)。其后之随后层间介电层及铜层可使用相同制程。