蚀刻方法及蚀刻装置

摘要

本发明是利用含碳及卤素原子的气体来进行蚀刻时，使蚀刻处理的基板面内的均一性提升。其解决手段，系由可从对向于基板亦即半导体晶圆W的中心区域之第1气体室45、及对向于晶圆W的周边区域之第2气体室46来独立供给处理气体至晶圆W的气体供给部4，对晶圆W供给含有包含1分子中的碳数为2以下的碳及氟的第1气体之处理气体而进行蚀刻时，以来自第1气体室45的供给量比第2气体室46更多之方式供给处理气体，对晶圆W供给含有包含1分子中的碳数为3以上的碳及氟的第2气体之处理气体而进行蚀刻时，以来自第2气体室46的供给量比第1气体室45更多之方式供给处理气体。