矽单晶之制造方法

摘要

目的：在藉左科拉斯基法、利用石英坩埚制造矽单晶之方法，在不受晶体直径及熔融矽初始进料量变化之影响、产率高之条件下，制造氧浓度分布均匀之矽单晶。结构：依据坩埚转速(Ω)、坩埚温度(T)及熔融矽与坩埚内壁接触面积与熔融矽与大气接触面积之比例(β)三个参数之关系，以估计生长中矽单晶内之氧浓度，并结合温度(T)及比例(β)，以1/β×Exp(-E/T)为函数，利用石英熔入熔融矽内之溶解能(E)以控制转速(Ω)及温度(T)中之至少一个，调节矽单晶内之氧浓度，使估计之氧浓度与目标浓度一致。