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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
一种半导体装置具有半导体基板、在半导体基板中形成的槽、在槽的内壁上形成的闸极绝缘膜、在槽中形成的闸电极、以及沿着与半导体基板的基板表面实质上正交的方向排列的源极/汲极区域和LDD区域。
申请公布号
TW200644224
申请公布日期
2006.12.16
申请号
TW095119540
申请日期
2006.06.02
申请人
尔必达存储器股份有限公司
发明人
山崎靖
分类号
H01L27/10(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/8242(2006.01)
主分类号
H01L27/10(2006.01)
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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