发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置具有半导体基板、在半导体基板中形成的槽、在槽的内壁上形成的闸极绝缘膜、在槽中形成的闸电极、以及沿着与半导体基板的基板表面实质上正交的方向排列的源极/汲极区域和LDD区域。
申请公布号 TW200644224 申请公布日期 2006.12.16
申请号 TW095119540 申请日期 2006.06.02
申请人 尔必达存储器股份有限公司 发明人 山崎靖
分类号 H01L27/10(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本