半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，其包括一半导体基底、设在该半导体基底之一预定位置之一装置区域、及隔离该装置区域之一浅沟槽隔离区域。该浅沟槽隔离区域包括一沟槽、设在该沟槽一侧壁之一上部之一氮化物膜衬层、及设在该沟槽该侧壁之一下部之一热氧化物膜。该浅沟槽隔离区域之配置，使得该热氧化物膜被设在之该浅沟槽隔离区域的一第二部分之该宽度，可大于该氮化物膜衬层之该下端被设在之该浅沟槽隔离区域的一第一部分之该宽度。