沟槽闸极式场效电晶体及其制造方法

摘要

一单体整合式场效电晶体及肖特基二极体(Schottkydiode)系包括延伸至一半导体区中之闸极沟槽。大致呈三角形的源极区系侧翼状配置于闸极沟槽的各侧。一接触开口延伸至相邻闸极沟槽之间的半导体区中。一导体层系充填接触开口以电性接触：(a)沿着各源极区之一倾斜状侧壁的至少一部分之源极区，及(b)沿着接触开口的一底部之半导体区，其中导体层系与半导体区形成一肖特基接触。