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Aparato para la producción continua de dispositivos semiconductores flexibles a través de la deposición de una pluralidad de capas de semiconductor sobre un substrato (7) flexible en movimiento usando procesado de deposición química en fase vapor asistida por plasma (PECVD), comprendiendo dicho aparato: al menos una cámara de deposición (1), incluyendo dicha al menos una cámara de deposición al menos una zona de reacción (111, 4111, 5111) para la generación de plasma; un generador de energía de RF (16) para la generación de la energía electromagnética necesaria para la generación del plasma; una bomba de vacío (17); dos rodillos giratorios (2, 3) dispuestos de tal forma que dicho substrato (7) flexible pueda desenrollarse desde un rodillo y enrollarse en el otro rodillo; al menos un motor para hacer girar dichos dos rodillos (2, 3), caracterizado porque dicho al menos un motor está dispuesto de tal forma que el sentido del giro de dichos dos rodillos (2, 3) pueda cambiarse, y porque tambiéncomprende una pluralidad de válvulas (18, 18¿, 18¿, 18¿¿) para la introducción alternativa de un número correspondiente de gases (u, v, w, x) en la misma de dicha al menos una zona de reacción (111, 4111, 5111).
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