| 摘要 |
L'invention concerne les capteurs d'image électroniques à réseau matriciel de points photosensibles, et plus particulièrement ceux qui sont de grande dimension (plusieurs centimètres de côté) et qui travaillent à fréquence d'échantillonnage rapide.Le capteur d'image comporte, sur un substrat de report (20), un substrat semiconducteur aminci (12) sur la face avant duquel sont formés une matrice de zones photosensibles et des circuits électroniques associé. Sur la face arrière du substrat aminci, est formée une couche métallique opaque fortement conductrice, ajourée, comportant des ouvertures en regard de chaque zone photosensible, la couche métallique constituant, en regard de la matrice photosensible, une grille ajourée (30) à continuité électrique permettant d'amener un potentiel uniforme, sur la face arrière du substrat aminci, en regard de toute la matrice. Des vias conducteurs sont formés dans le substrat semiconducteur pour relier cette couche à des plages métalliques (14) qui ont été formées sur la face avant du substrat avant report sur le substrat de report.On améliore les performances du capteur à haute fréquence d'échantillonnage grâce à cette couche métallique. |
