Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle

摘要

Bekannte einseitig kontaktierte Solarzellen mit beiden Kontaktierungssystemen auf einer Oberseite der Absorberschicht weisen bezüglich der Emitterschicht und der Kontaktierungssysteme besondere Strukturen auf, die aufwändige Strukturierungsschritte erforderlich machen. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich gleichermaßen zur Herstellung von Vorder- oder Rückseitenkontaktierungen. Es sieht eine direkte Anordnung eines Kontaktgitters (KG) auf einer Oberseite der Absorberschicht (AS) vor (lichtzugewandte Oberseite (OSZ): Vorderseitenkontaktierung, lichtabgewandte Oberseite (OSA): Rückseitenkontaktierung). Das Kontaktgitter (KG) wird anschließend lokal mit einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht (IS) überzogen. Nachfolgend wird ganzflächig die Emmitterschicht (ES) abgeschieden, sodass das Kontaktgitter (KG) zwischen der Absorberschicht (AS) und der Emmitterschicht (ES) liegt. Die Emitterschicht (ES) wird dann flächig von einer Kontaktschicht (KS) belegt. Bei der Rückseitenkontaktierung ist die Emitterschicht (ES) ebenfalls auf der lichtabgewandten Oberseite (OSA) der Absorberschicht (AS) angeordnet, sodass zusätzliche Absorptionsverluste vermieden werden. Die Emitterschicht (ES) bildet mit der Absorberschicht (AS) einen pn-Übergang aus, der besonders gut ausgeprägt ist, wenn die Absorberschicht (AS) aus kristallinem und die Emitterschicht (ES) aus amorphem Silizium besteht, sodass eine Heterokontaktsolarzelle (HKS) gebildet wird. Es können sowohl Dickschicht- ...