首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem Isolationsgraben
摘要
申请公布号
DE10143997(B4)
申请公布日期
2006.12.14
申请号
DE20011043997
申请日期
2001.09.07
申请人
INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
KIRCHHOFF, MARKUS
分类号
H01L21/762;H01L21/60;H01L21/768
主分类号
H01L21/762
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
用于K-ras基因突变检测的生物试剂
K歌处理方法及系统
Draught guard assembly for the use to open fireplaces
Cover plate for drill holes in furniture
全自动片材收卷装置
一种新型的电梯事故现场状态参数传输装置
可重构插排装置和方法
一种咪唑并吡啶化合物及其制备方法和应用
一种半柔性复合路面用高早强水泥基填充材料
一种梅子鲜果雕刻去核装置
一种通用桥下检查车行走装置
GENERALIZED VIRTUAL INSPECTOR
COATED DISK WITH PARTIALLY UNCOATED REGIONS
AGGREGATE PRODUCTION UNIT
FLOATING DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE PLASMA SOURCE
Porous monolithic organic network membrane immobilized enzyme and preparation method thereof
DEPOSITION MASK
ELASTIC DIENE TERPOLYMER AND PREPARATION METHOD THEREOF
AUTOMATIC IOT DEVICE SOCIAL NETWORK EXPANSION
FUNCTION MASKING APPARATUS IN SYMMETRIC CRYPTOGRAPHIC ALGORITHM FOR PREVENTING SIDE CHANNEL ATTACKS AND METHOD THEREOF
