<p>Die Erfindung beschreibt einen Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) mit einer zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Schicht (4), einer der aktiven Schicht nachgeordneten Strahlungsauskoppelfläche (21) und einer auf der der Strahlungsauskoppelfläche (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (4) angeordneten Reflexionsschicht (6), wobei der Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) einen photonischen Kristall (7) aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers (1) angegeben, der einen photonischen Kristall (7) aufweist.</p>
