发明名称 METHOD OF MANUFACTURING A THIN LAYER USING ATOMIC LAYER DEPOSITION, AND METHOD OF MANUFACTURING A CAPACITOR AND A GATE STRUCTURE USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100657792(B1) 申请公布日期 2006.12.14
申请号 KR20050006173 申请日期 2005.01.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/205;H01L21/336;H01L21/82;H01L21/8242 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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