CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，该有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在半导体衬底的隔离区中；第一扩散区，具有与半导体衬底相同的导电类型，形成在蓝光电二极管区中，靠近隔离层的一侧；栅绝缘层和栅电极，形成在晶体管区的衬底上；以及第二扩散区，具有与半导体衬底相反的导电类型，形成在蓝光电二极管区中，远离隔离层，其中第一扩散区设置在第二扩散区和隔离层之间。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，包括：第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，所述有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在所述半导体衬底的所述隔离区中；第一扩散区，具有与所述半导体衬底相同的导电类型，形成在所述蓝光电二极管区中，靠近所述隔离层的一侧；栅绝缘层和栅电极，形成在所述晶体管区的衬底上；以及第二扩散区，具有与所述半导体衬底相反的导电类型，形成在所述蓝光电二极管区中，远离所述隔离层，其中所述第一扩散区设置在所述第二扩散区和所述隔离层之间。