| 发明名称 | 制造CMOS图像传感器的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造CMOS图像传感器的方法，该制造方法包括：在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧壁绝缘层和栅电极之间的第一侧壁绝缘层；通过在预定温度下回流构图的光刻胶层来覆盖栅电极；使用回流的光刻胶层作为掩模有选择地去除第二侧壁绝缘层；以及使用回流的光刻胶层作为掩模，在栅电极形成有第三杂质区的的一侧形成第一导电类型的第四杂质区。 | ||
| 申请公布号 | CN1877818A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610091223.9 | 申请日期 | 2006.06.07 |
| 申请人 | 东部电子有限公司 | 发明人 | 全寅均 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括：在具有由光电二极管区和晶体管区限定的有源区的半导体衬底的晶体管区形成栅电极，一栅绝缘层插在所述晶体管区和栅电极之间；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第一杂质区；在栅电极两侧形成第一侧壁和第二侧壁；在栅电极一侧的晶体管区形成第一导电类型的第二杂质区；将光刻胶层涂布在半导体衬底上，并且通过曝光和显影工艺对该光刻胶层进行构图以覆盖晶体管区；使用构图的光刻胶作为掩模，在光电二极管区形成导电型的第三杂质区；使用构图的光刻胶层作为掩模，有选择地去除预定厚度在第二侧壁绝缘层和栅电极之间的第一侧壁绝缘层；通过在预定温度下回流构图的光刻胶层来覆盖栅电极；使用回流的光刻胶层作为掩模有选择地去除第二侧壁绝缘层；以及使用回流的光刻胶层作为掩模，在栅电极形成有第三杂质区的一侧形成第一导电类型的第四杂质区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||