| 发明名称 | 电容元件、半导体存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的，在于：维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性，并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极(31)的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层(15)覆盖起来。上方电极(33)的上面、该上方电极(33)、电容绝缘膜(32)及掩埋绝缘膜(16)的各个侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氢扩散的第2绝缘性阻挡层(17)覆盖起来。第2绝缘性阻挡层(17)在下方电极(31)两侧的区域和第1绝缘性阻挡层(15)相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1290194C | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN02124394.8 | 申请日期 | 2002.06.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 长野能久;藤井英治 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种电容元件，它包括：下方电极、形成在该下方电极上且由金属氧化物制成的电容绝缘膜、形成在该电容绝缘膜上的上方电极、以及将该下方电极周围掩埋起来的掩埋绝缘膜，其中：该下方电极中包括防止氧扩散的导电性阻挡层；形成有至少和该下方电极侧面中该导电性阻挡层的侧面相接触，来防止氢扩散的绝缘性阻挡层，上述导电性阻挡层，包括：由防止氧及氢扩散的第1导电性阻挡层和防止氧扩散的第2导电性阻挡层组成的叠层膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||