| 发明名称 | MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法，属微电子器件制备技术领域，包括14个工艺操作步骤：制备衬底和下电极(1)；生长二氧化硅薄膜(2)；制备凹腔(22)；溅射铝膜；制备牺牲层(5)；淀积氮化硅薄膜(6)；溅射铝膜(7)；光刻腐蚀孔(4)；去正胶(3)和铝膜(7)；光刻上电极图形(8)；溅射钛铂金膜；制备钛铂金电极；腐蚀牺牲层(5)，得空腔体(10)；脱水干燥，得衰减器芯片(12)，有制备工艺简单，适于批量生产，产品体积小，性能好等优点，适于用来制备MEMS电可调光衰减器芯片(12)，继而制得MEMS电可调光衰减器器件，可在波分复用光纤光网络中，用来调整均衡各信道光信号的强弱，还可以用于模拟光纤长距离传输的光功率损耗或检测传输系统的动态范围。 | ||
| 申请公布号 | CN1289942C | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN03128801.4 | 申请日期 | 2003.05.26 |
| 申请人 | 华东师范大学;上海永鼎光电子技术有限公司 | 发明人 | 忻佩胜;朱自强;赖宗声;杨震;李国栋;彭德艳;李德红;张晓东;汪绳武 |
| 分类号 | G02F1/015(2006.01);G02B26/02(2006.01);G02B6/26(2006.01);H04J14/02(2006.01) | 主分类号 | G02F1/015(2006.01) |
| 代理机构 | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程宗德 |
| 主权项 | 1.一种MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法，其特征在于，包括14个工艺操作步骤：制备衬底和下电极(1)；生长二氧化硅薄膜(2)；制备凹腔(22)；溅射铝膜；制备牺牲层(5)；淀积氮化硅薄膜(6)；溅射铝膜(7)；光刻腐蚀孔(4)；去正胶(3)和铝膜(7)；光刻上电极图形(8)；溅射钛铂金膜；制备钛铂金电极；腐蚀牺牲层(5)，得空腔体(10)；脱水干燥，得衰减器芯片(12)。 | ||
| 地址 | 200062上海市中山北路3663号 | ||