| 发明名称 | 一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种大功率MOS器件以及一种制造大功率MOS器件的方法。该方法包括以下步骤：成长场氧化层；去除氮化硅；去除二氧化硅；成长硬掩膜；沟槽光刻；沟槽主刻蚀；沟槽底部离子注入；沟槽底部圆化刻蚀；去除硬掩膜；成长栅氧化层；成长多晶硅栅；金属层互连。利用本发明制造的大功率MOS器件深沟槽底部栅氧化层的厚度比沟槽上的栅氧化层厚，其栅极和漏极之间的寄生电容CGD较小，有较好的频率特性。本发明可应用于MOS器件制造技术。 | ||
| 申请公布号 | CN1877856A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200510026546.5 | 申请日期 | 2005.06.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李建文;陈志伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种深沟槽大功率MOS器件，其特征在于，其深沟槽底部栅氧化层的厚度比沟槽上的栅氧化层厚。 | ||
| 地址 | 201206上海市川桥路1188号718 | ||