| 发明名称 | 化合物半导体外延基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种凹状缺陷少的化合物半导体外延基板的制造方法。化合物半导体外延基板的凹状缺陷生成的抑制方法，其包括如下所述工序，即：在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的外延层上，在V/III比：10～100、成长温度：630℃～700℃、成长速度：0.6μm/h～2μm/h的条件下，通过外延成长，而形成InGaAs层。 | ||
| 申请公布号 | CN1879198A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200480033046.8 | 申请日期 | 2004.11.08 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 小广健司;高田朋幸 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体外延基板的制造方法，其中，包括如下所述的工序：在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的层上，通过外延成长，在V/III比：10～100、成长温度：630℃～700℃、成长速度：0.6μm/h～2μm/h的条件下，形成InGaAs层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||