| 发明名称 | 用于制造锂微电池的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及锂微电池的制造方法。在锂微电池的制造过程中，通过在设置有集电器(2a，2b)和阴极(3)的基板(1)上相继沉积电解质薄膜(5a)、关于锂是化学惰性的第一保护薄膜(6a)和第一掩模薄膜(7a)形成包含锂化化合物的电解质。根据本发明，在第一掩模薄膜上进行光刻步骤以产生用于选择性蚀刻第一掩模薄层(7a)的掩模，并随后选择性蚀刻第一保护薄层(6a)和电解质薄膜(5a)使得在电解质薄膜(5a)中形成电解质。该技术能够通过光刻和蚀刻形成电解质而不会对该电解质引起任何损坏。 | ||
| 申请公布号 | CN1879247A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200480033214.3 | 申请日期 | 2004.11.04 |
| 申请人 | 原子能委员会 | 发明人 | 弗雷德里克·盖拉德;马克·普利桑尼尔;拉斐尔·萨洛特;斯蒂法妮·罗奇 |
| 分类号 | H01M10/04(2006.01);H01M10/36(2006.01);H01M2/02(2006.01);H01M4/04(2006.01) | 主分类号 | H01M10/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种用于制造锂微电池的方法，相继包括在基板(1)上形成第一和第二集电器(2a，2b)、阴极(3)、包含锂化化合物的电解质(5)和包含锂的阳极(8)，其特征在于所述电解质(5)的形成步骤至少包括以下的相继操作：-在设置有所述集电器(2a，2b)和所述阴极(3)的所述基板(1)上沉积电解质薄层(5a)，-在所述电解质薄层(5a)上沉积关于锂是化学惰性的第一保护薄层(6a)，以及然后沉积第一掩模薄层(7a)，-通过光刻在所述第一掩模薄层(7a)上制作掩模(4d)，-选择性蚀刻所述第一掩模薄层(7a)，然后去除所述掩模(4d)，-选择性蚀刻所述第一保护薄层(6a)和所述电解质薄层(5a)从而在所述电解质薄层(5a)中形成电解质(5)，以及去除所述第一保护薄层(6a)和所述第一掩模薄层(7a)。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||