发明名称 化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的清洗方法
摘要 本发明的目的是提供一种化学气相沉积设备中的清洗方法,它能够有效地除去副产物如SiO<SUB>2</SUB>或Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>,所述副产物在成膜步骤中附着并沉积在反应室内壁、电极等的表面上。此外,本发明的目的是提供一种清洗方法,其中排放的清洗气的量非常小,对于环境的影响如全球变暖也下降,以及降低了成本。将能量施加到氟化合物上使氟化合物反应,从而生成氟气和除了氟气之外的组分。此外,生成的氟气和除了氟气之外的组分相互分离,以分离和精炼所述氟气。在使用化学气相沉积设备对基底材料进行成膜处理之后,接着将分离和精炼的氟气转变成等离子体以除去附着杂所述反应室中的副产物。
申请公布号 CN1290157C 申请公布日期 2006.12.13
申请号 CN03801231.6 申请日期 2003.03.13
申请人 日商佳能安内华股份有限公司;株式会社爱发科;关东电化工业株式会社;索尼株式会社;大金工业株式会社;东京毅力科创株式会社;株式会社东芝;株式会社日立国际电气;独立行政法人产业技术总合研究所 发明人 别府达郎;坂井克夫;大仓诚司;坂村正二;安部薰;村田等;和仁悦夫;龟田贤治;三井有规;大平丰;米村泰辅;関屋章
分类号 H01L21/205(2006.01);C23C16/44(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 朱黎明
主权项 1.一种具有清洗机构的化学气相沉积设备,所述化学气相沉积设备用于将反应气体输送到反应室中,然后在反应室中的基底材料的表面土形成沉积薄膜,所述化学气相沉积设备包括氟气生成装置,所述氟气生成装置包括:能量施加装置,它将能量施加给氟化合物使氟化合物发生反应,生成氟气和除了氟气之外的组分;以及氟气浓缩分离精炼装置,它能分离由能量施加装置产生的氟气和除了氟气之外的组分,从而分离精炼出所述氟气,在使用化学气相沉积设备对所述基底材料进行成膜处理后,将由所述氟气生成装置分离精炼的氟气转变成等离子体,用以除去附着在所述反应室中的副产物。
地址 日本东京