发明名称 |
半导体存储器器件和信息处理系统 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体存储器器件和信息处理系统。通过刷新控制单元,在存储器单元阵列处用于保持存储在存储器单元中的数据的刷新操作被使得能够被切换为是基于从外部输入的外部刷新请求还是内部生成的内部刷新请求而被执行,因此,当基于外部刷新请求执行刷新操作时,可以仅以执行根据访问请求的操作所需的时间,而不包括执行刷新操作所需的时间,来执行对于存储器单元阵列的根据来自外部的访问请求的访问操作。 |
申请公布号 |
CN1877736A |
申请公布日期 |
2006.12.13 |
申请号 |
CN200510112863.9 |
申请日期 |
2005.10.14 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
藤冈伸也;江口康之;助野淳;佐藤光德 |
分类号 |
G11C11/401(2006.01);G11C11/407(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/401(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵淑萍 |
主权项 |
1.一种半导体存储器器件,包括:存储器单元阵列,其中布置了存储数据的多个存储器单元;刷新控制单元,所述刷新控制单元能够切换用于保持在所述存储器单元中存储的数据的刷新操作是基于从外部输入的外部刷新请求,还是基于内部生成的内部刷新请求而被执行,并且指示根据刷新请求的刷新操作的执行;和阵列控制单元,所述阵列控制单元基于来自所述刷新控制单元的指示,执行在所述存储器单元阵列处的刷新操作;并且其中,所述刷新控制单元具有刷新请求选择器,所述刷新请求选择器根据所述半导体存储器器件的工作状态,选择外部刷新请求或者内部刷新请求,并且其中,所述刷新请求选择器从输入外部刷新请求到输入允许自刷新操作的自刷新允许请求期间,选择外部刷新请求,并且在其他时段,选择内部刷新请求。 |
地址 |
日本神奈川县 |