| 发明名称 | 化合物半导体构件的损伤评价方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供可以评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。首先，进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的光致发光测定，然后，在利用光致发光测定得到的发光光谱中，使用与化合物半导体基板(10)的能带间隙对应的波长(λP<SUB>1</SUB>的半高宽W<SUB>1</SUB>，评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN1877805A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610088704.4 | 申请日期 | 2006.06.01 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 八乡昭广;西浦隆幸 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L33/00(2006.01);G01N21/88(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体构件的损伤评价方法，其特征是，包括：进行化合物半导体构件的表面的光致发光测定的工序；在利用所述光致发光测定得到的发光光谱中，使用与所述化合物半导体构件的能带间隙对应的波长的峰的半高宽，来评价所述化合物半导体构件的所述表面的损伤的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||