| 发明名称 | 结型场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种能抑制栅区内的P层杂质的不均匀性并得到良好的pn结特性结型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在预定为在GaAs衬底(1)上形成的n<SUP>+</SUP>－AlGaAs层(5)的、设置栅电极的区域的表面，利用溅射法来薄膜状地沉积ZnO(7)的工序；进行利用急热和急冷热处理的杂质扩散来形成p型栅区(8)的工序；利用由酒石酸等的湿蚀刻除去上述ZnO(7)，使上述p型栅区(8)露出的工序；以及在上述露出的p型栅区(8)设置栅电极(9)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1877801A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610091632.9 | 申请日期 | 2006.06.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 工藤昭吉;按田义治;田村彰良 |
| 分类号 | H01L21/337(2006.01);H01L29/80(2006.01) | 主分类号 | H01L21/337(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 1.一种结型场效应晶体管的制造方法，该结型场效应晶体管在半导体衬底上形成的p型杂质区设置栅电极而成，其特征在于，具有：在上述半导体衬底的应形成上述p型杂质区的区域的表面，将ZnO沉积成薄膜状的工序；利用固相扩散来形成上述p型杂质区的工序；通过除去上述ZnO而使上述p型杂质区露出的工序；以及在露出的上述p型杂质区设置栅电极的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||