| 发明名称 | 具有自对准结构性电荷隔离的NROM闪存 | ||
| 摘要 | 一种氮化物只读存储器(NROM)单元具有不位于晶体管下方的氮化层。具有氮化层的柵绝缘层包括两个部分，这两部分具有各自从结构上限定和隔离的电荷陷阱区。电荷响应晶体管工作的方向被存储在特定陷阱区内。柵绝缘体的两个部分使多晶硅柵结构的外部区域与中间区域隔离开。 | ||
| 申请公布号 | CN1879177A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200480032833.0 | 申请日期 | 2004.11.03 |
| 申请人 | 微米技术股份有限公司 | 发明人 | L·福布斯 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01);H01L21/8246(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C16/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种NROM闪存晶体管，包括：包含第一和第二源极/漏极区的衬底；衬底上的氧化层。耦合到氧化层的一部分的柵绝缘层，所述柵绝缘层包含第一部分和隔离的第二部分；以及柵结构，包含多个部分，即耦合到氧化层的中间部分以及各自耦合于柵绝缘层的第一和第二外层部分，从而使柵绝缘层将中间部分与第一和第二外层分开。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||