电阻转换的半导体存储器

摘要

通过本发明来解决提供具有CBRAM存储单元的非易失半导体存储器的任务，在这些CBRAM存储单元中，在掺杂Ag的GeSe层和Ag顶电极之间存在化学惰性的边界层，该边界层改善CBRAM存储单元的转换特性，本发明的解决方式是存储单元的活性基体材料层包括具有像玻璃的GeSe层和非晶Ge:H层的GeSe/Ge:H双层，其中非晶Ge:H层被布置在GeSe层和第二电极之间。因此抑制AgSe团块在Ag掺杂层和/或电极层中的形成，使得阻止析出并且能够实现银掺杂层的均匀的沉积。通过GeSe/Ge:H双层系统，一方面获得CBRAM存储单元的电阻性非易失存储效果，而另一方面借助薄的Ge:H层来保证位于其上的顶电极的化学稳定性。

主权项

1.具有电阻转换的非易失存储单元的半导体存储器，所述存储单元分别被布置在由电引线构成的存储单元矩阵的交叉点上，所述电引线分别通过第一电极(1)和第二电极(2)与所述存储单元相连接，其中所述存储单元包括具有至少一个活性基体材料层的多个材料层，该基体材料层作为所述存储单元的离子导体在利用所述基体材料层中的离子漂移的情况下具有在两个稳定状态之间进行电阻转换的特性，其特征在于，所述存储单元包括具有像玻璃的GeSe层和非晶Ge:H层的GeSe/Ge:H双层(3)，其中所述非晶Ge:H层被布置在所述GeSe层和所述第二电极(2)之间。