| 发明名称 | 铈基抛光料和铈基抛光浆料 | ||
| 摘要 | 一种以氧化铈为主要成分的铈基抛光料，其基本粒径为40nm至80nm，比表面积为2m<SUP>2</SUP>/g至5m<SUP>2</SUP>/g，当以10％(质量)的量分散于水中时，该抛光料的沉淀物堆积比重为0.8g/ml至1.0g/ml。这样得到的抛光料能够提供具有以下特点的铈基抛光料和铈基抛光浆料，即能够提高抛光速度并在抛光表面上引起的缺陷很少，且能获得高质量的抛光表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1289626C | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN02811936.3 | 申请日期 | 2002.11.15 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 别所直纪 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);C01F17/00(2006.01);B24B37/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;黄革生 |
| 主权项 | 1.一种以氧化铈为主要成分的铈基抛光料，其特征在于当以10质量％的量分散于水中时，该抛光料的沉淀物堆积比重为0.8g/ml至1.0g/ml，抛光料的比表面积为2m2/g至5m2/g。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||