| 发明名称 | 一种熔料补充生长晶体的装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种熔料补充生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，排液系统(3、12、9)和多坩埚系统(10、8)；其中排液系统与称量系统相连，排液系统包括排液下降机构(3)、排液导杆(12)和排液模拟体(9)；多坩埚系统包括相互连通的一个生长坩埚(10)和一个或多个补给坩埚(8)。晶体生长时不向补给坩埚中添加原料，而是通过排液的原理在液体中排开相应体积的熔体到生长坩埚中。本发明的生长方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、尺寸大，本发明的生长设备简单、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN1289721C | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200310108634.0 | 申请日期 | 2003.11.14 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 郑燕青;陆治平;施尔畏;王绍华;崔素贤 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01);C30B15/28(2006.01) | 主分类号 | C30B15/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种熔料补充生长晶体的装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，其特征在于装置组成还包括排液系统和多坩埚系统；所述的排液系统(3、12、9)与称量系统相连，排液系统包括排液下降机构(3)、排液导杆(12)和排液模拟体(9)；所述的多坩埚系统包括相互连通的一个生长坩埚(10)和一个或多个补给坩埚(8)。 | ||
| 地址 | 200050上海市定西路1295号 | ||