| 发明名称 | 降低pFETS中的硼扩散性 | ||
| 摘要 | 穿过由半导体材料的结构或本体(例如衬底或层)定义的边界而应用受应力的膜，在边界附近的半导体材料中提供了从拉应力到压应力的变化，并且用来在退火期间改变硼的扩散速率，从而改变最终的硼浓度和/或分布/梯度。在场效应晶体管的情况中，可以形成有或没有侧壁的栅结构，以调节所述边界相对于源/漏极、扩展区和/或晕圈注入区的位置。可以在横向和垂直方向中产生不同的硼扩散速率，并且可以实现与砷可比的扩散速率。可以用同一个工艺步骤同时实现nFETs和pFETs两者的结电容的降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1879207A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200380110798.5 | 申请日期 | 2003.12.08 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 弗雷德里克·威廉·布埃雷尔;杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥;布鲁斯·B·多里斯;黄圣杰(音译);杨海宁 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/425(2006.01);H01L27/01(2006.01);H01L29/76(2006.01);H01L29/167(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种改变半导体材料中注入的杂质的扩散速率的方法，其包括如下步骤：在所述半导体材料表面上采用结构限定边界，在所述边界处的所述结构和所述表面的上方施加受应力的膜，并且对所述半导体材料退火以激活所述杂质。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||