| 发明名称 | 具有改进的非本征基极区的双极结晶体管以及制造方法 | ||
| 摘要 | 描述了双极型晶体管及其制造。通过在第一外延层(23)上生长更重掺杂的第二外延层来形成非本征基极区(40)。所述第二层在上覆的多晶硅发射极基座(28)下延伸并与其绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN1879221A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200480033204.X | 申请日期 | 2004.11.10 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 沙哈拉尔·艾哈迈德;拉温德拉·索曼;阿南德·默西;马克·博尔 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L29/732(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 | 代理人 | 严慎 |
| 主权项 | 1.一种用于制造双极型晶体管的方法，包括：在第一外延层中形成发射极区；采用发射极基座结构作为掩模件来蚀刻所述第一外延层；在所述第一外延层上生长第二外延层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||