| 发明名称 | 半导体激光器设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)。按照本发明，在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，并且在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)。此外在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)。在接触部(9)和导电层(13)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。 | ||
| 申请公布号 | CN1879270A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200480033359.3 | 申请日期 | 2004.11.09 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 托尼·阿尔布雷希特;彼得·布里克;斯特凡·吕特根 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01);H01S5/04(2006.01) | 主分类号 | H01S5/183(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.半导体激光器设备，具有-光泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及-至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)，其特征在于，-在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，-在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)，-在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)，并且-在导电层(13)和接触部(9)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||