半导体器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体膜；在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成第一栅电极和第二栅电极；在半导体膜中形成一对第一杂质区和一对第二杂质区；以及形成与该对第一杂质区的一个和该对第二杂质区的一个电连接的布线，其中，该对第一杂质区的所述一个与该对第二杂质区的所述一个接触。