发明名称 沟槽栅极场效应器件
摘要 本发明提供了一种用于在体区,即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子,从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括:第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26),以及第一导电类型的中间区(28),用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32),其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致;相反地,所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。
申请公布号 CN1879222A 申请公布日期 2006.12.13
申请号 CN200480033052.3 申请日期 2004.11.05
申请人 丰田自动车株式会社 发明人 堀田幸司;河路佐智子;臼井正则;杉山隆英
分类号 H01L29/739(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) 主分类号 H01L29/739(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 杨晓光;于静
主权项 1.一种半导体器件,包括:第二导电类型的顶区;所述第二导电类型的深区;第一导电类型的中间区,用于使所述顶区和所述深区隔离;以及沟槽栅极,通过绝缘层面对部分所述中间区,其中面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离,以及其中所述沟槽栅极沿纵向延伸,且所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。
地址 日本爱知县