| 发明名称 | 用于使用牺牲的注入层形成非无定形超薄半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成半导体器件的方法，包括在单晶衬底(106)上方限定牺牲层(108)。以防止该单晶衬底(106)基本上无定形化的方式采用掺杂剂物质对该牺牲层(108)注入。对该牺牲层(108)退火以便驱使所述掺杂剂物质从所述牺牲层(108)进入所述单晶衬底(106)。 | ||
| 申请公布号 | CN1879210A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200380110785.8 | 申请日期 | 2003.12.04 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 奥马尔·H·多库马西;保罗·郎西姆 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：在单晶衬底(106)上方限定牺牲层(108)；以防止所述单晶衬底(106)基本上无定形化的方式采用掺杂剂物质对所述牺牲层(108)注入；和对所述牺牲层(108)退火以便驱使所述掺杂剂物质从所述牺牲层(108)进入所述单晶衬底(106)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||