一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺

摘要

本发明公开了一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)热挤压工艺：将Al－Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温；C)高压氧化：将热挤压材料进行高温高压氧化，保温温度为300～500℃，时间为48～96小时，氧压为0.6～0.8MPa，高压氧化后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能，减化材料的制备工艺。

主权项

1、一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺，其工艺步骤如下：A)、粉末制取将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；B)、热挤压工艺将Al-Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温；C)、高压氧化将热挤压材料进行高温高压氧化，高压氧化保温温度为300～500℃，氧化时间为48～96小时，氧压为0.6～0.8MPa，氧化在密封箱式电阻炉中进行，高压氧化后即为成品。