随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种随机存取存储器及其制造方法，特别涉及一种在高速随机存取存储器中制造控制栅极的自对准导电间隙壁制程，可精确定义控制栅极的尺寸及轮廓。先在介电层上形成导电层，以覆盖基底上的浮置栅极，然后在相邻于浮置栅极侧壁的导电层上形成氧化物间隙壁。利用氧化物间隙壁作为掩膜，对导电层上进行一非等向性蚀刻制程，便可形成自对准导电间隙壁在浮置栅极的两侧，以作为控制栅极。本发明所述随机存取存储器及其制造方法，可明确定义控制栅极的尺寸及形状，解决了已知方法中需要额外形成多晶硅线路的问题。

主权项

1.一种随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述随机存取存储器的制造方法包括下列步骤：在一半导体基底上形成一浮置栅极；在该半导体基底上形成一介电层，至少覆盖该浮置栅极的侧壁；形成一导电层在该介电层上；在该导电层上形成一氧化物间隙壁，且邻近该浮置栅极的侧壁；以及利用该氧化物间隙壁当作掩膜，在该导电层上进行一非等向性蚀刻制程，在该浮置栅极的两侧形成一对导电间隙壁，其中该导电间隙壁用来当作一控制栅极，且以该介电层将该控制栅极与该浮置栅极隔开。