| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。在形成层间绝缘膜的过程中，在水分含量等于或小于5×10<SUP>－3</SUP>g/cm<SUP>3</SUP>的条件下形成层间绝缘膜。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。 | ||
| 申请公布号 | CN1877841A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200510107113.2 | 申请日期 | 2005.09.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 和泉宇俊 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其上形成有半导体元件；层间绝缘膜，其形成在该半导体衬底上方，并且由水分含量等于或低于5×10-3g/cm3的绝缘材料制成；以及氢扩散阻挡膜，其形成在该层间绝缘膜上方，并且由氢扩散阻挡能力高于该层间绝缘膜材料的材料制成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||