发明名称 |
形成NAND快闪存储器的源接触的方法 |
摘要 |
一种形成NAND快闪存储器器件的源接触的方法,包括:在半导体基片上形成隧道氧化物膜,去除源接触将形成其中的区的隧道氧化物膜;形成第一多晶硅层和电介质层,去除选择晶体管将形成其中的区的电介质层;在该区上形成第二多晶硅层,在第二多晶硅层上形成导电膜,在导电膜上形成硬掩膜;用栅掩膜执行蚀刻工艺以蚀刻单元区直至电介质层,同时蚀刻其中将形成源接触的区直到隧道氧化物膜以形成源线;在暴露于源线两侧的半导体基片上执行离子注入工艺;蚀刻单元区和选择晶体管区的电介质层、第一多晶硅层和隧道氧化物膜,形成单元栅和选择晶体管栅;在单元栅和选择晶体管栅及源接触之间掩埋绝缘层,以形成层间绝缘层;蚀刻层间绝缘层所需的区以形成接触。 |
申请公布号 |
CN1877819A |
申请公布日期 |
2006.12.13 |
申请号 |
CN200610083689.4 |
申请日期 |
2006.06.02 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
郑宇荣 |
分类号 |
H01L21/8239(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
杨生平;杨红梅 |
主权项 |
1.一种形成NAND快闪存储器的源接触的方法,包括以下步骤:在半导体基片之上形成隧道氧化物膜,及然后去除源接触将形成于其中的区中的所述隧道氧化物膜;在整个结构上形成第一多晶硅层和电介质层,及然后去除选择晶体管将形成于其中的区的所述电介质层;在已去除所述电介质层的区之上形成第二多晶硅层,在所述第二多晶硅层之上形成导电膜;使用栅掩膜来执行蚀刻工艺,以蚀刻单元区直至所述电介质层,并同时蚀刻源接触将形成于其中的区,直到所述隧道氧化物膜,从而形成源线;在暴露于所述源线两侧的所述半导体基片上执行离子注入工艺;顺序地蚀刻所述单元区和所述选择晶体管区的所述电介质层、所述第一多晶硅层和所述隧道氧化物膜,形成单元栅和选择晶体管栅;将绝缘层掩埋在所述单元栅和所述选择晶体管栅及所述源接触之间,及然后在整个结构上形成层间绝缘层;以及蚀刻所述层间绝缘层的所需的区,以形成通过其暴露所述源线的接触。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |