| 发明名称 | 自由基产生方法、蚀刻方法以及用于这些方法的设备 | ||
| 摘要 | 产生自由基的方法包括以下步骤：将F<SUB>2</SUB>气体或F<SUB>2</SUB>气体与惰性气体的混合气体供给到内部具有碳材料的室中，通过对所述碳材料施加靶偏压，由所述碳材料提供碳原子，从而产生高密度的自由基，其中，当测量在所述室内部产生的自由基的红外吸收光谱时，通过控制对所述碳材料施加的所述靶偏压，任意调节CF<SUB>3</SUB>自由基、CF<SUB>2</SUB>自由基和CF自由基的比率。 | ||
| 申请公布号 | CN1879200A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200480033076.9 | 申请日期 | 2004.11.09 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 后藤俊夫;堀胜;永井干雄 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种产生自由基的方法，包括以下步骤：将F2气体或F2气体与惰性气体的混合气体供给到内部具有碳材料的室中，通过对所述碳材料施加靶偏压，由所述碳材料提供碳原子，以及从而产生高密度的自由基，其中，对所述碳材料施加不大于600V的所述偏压，以选择性地形成CF3自由基，从而产生高纯度的CF3自由基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||