| 发明名称 | 制备锑掺杂二氧化锡纳米导电粉体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备锑掺杂二氧化锡纳米导电粉体的方法，包括如下步骤：四氯化锡、三氯化锑和乙醇的混合溶液，由载气N<SUB>2</SUB>载入蒸发器蒸发汽化，然后与氢气和空气混合后，由设置在燃烧反应器顶部的三通道烧嘴的中心管进入燃烧反应器，在燃烧室内进行水解反应，生成的ATO导电粉体由袋滤器收集，尾气经过HCl吸收塔后排空；同时，氢气和空气的混合气体由三通道烧嘴的二环管加入燃烧反应器；同时，空气由三通道烧嘴的三环管加入。本发明的方法，设备简单、可控程度高，可以制备尺寸小，比表面积大、分散性良好的ATO纳米导电粉体，是一种可以大规模连续化生产ATO导电粉体的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1876289A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610028873.9 | 申请日期 | 2006.07.12 |
| 申请人 | 华东理工大学 | 发明人 | 李春忠;胡彦杰;姜海波;顾峰 |
| 分类号 | B22F9/16(2006.01) | 主分类号 | B22F9/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 罗大忱 |
| 主权项 | 1.一种制备锑掺杂二氧化锡纳米导电粉体的方法，其特征在于，包括如下步骤：四氯化锡、三氯化锑和乙醇的混合溶液，由载气N2载入蒸发器蒸发汽化，然后与80～200℃的氢气和空气混合后，由设置在燃烧反应器顶部的三通道烧嘴的中心管进入燃烧反应器，在燃烧室内进行水解反应，生成的ATO导电粉体由袋滤器收集，尾气经过HCl吸收塔后排空，反应温度为1000～1600℃；同时，温度为室温的氢气和空气的混合气体由三通道烧嘴的二环管加入燃烧反应器；同时，温度为室温的空气由三通道烧嘴的三环管加入。 | ||
| 地址 | 200237上海市梅陇路130号 | ||