发明名称 光学泵浦的半导体激光器设备
摘要 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备,其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于,泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中,以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠,该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是,当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时,优先激发垂直发射区域(1)的基模。
申请公布号 CN1879269A 申请公布日期 2006.12.13
申请号 CN200480033348.5 申请日期 2004.11.09
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 沃尔夫冈·施密德;彼得·布里克;斯特凡·吕特根;托尼·阿尔布雷希特;弗朗茨·埃伯哈德
分类号 H01S5/183(2006.01);H01S5/04(2006.01) 主分类号 H01S5/183(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 杨生平;杨红梅
主权项 1.光泵浦半导体激光器设备具有-表面发射的垂直发射区(1)和-至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2),其中至少一个泵浦辐射源(2)这样安装和设置,使得泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中,以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠,该重叠适合于基模的激发。
地址 德国雷根斯堡