一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

摘要

本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)粉末的空气氧化处理工艺：将Al－Si合金粉末置于电阻炉内，升温至250～450℃，保温氧化8～32小时，取出后在空气中自然冷却；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

主权项

1、一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，其工艺步骤如下：A)、粉末制取将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；B)、粉末的空气氧化处理工艺将制备好的Al-Si合金粉末置于电阻炉内，升温至250～450℃，保温氧化8～32小时，取出后在空气中自然冷却；C)、热挤压工艺将氧化后的合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。