| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其具备：在基底区域上形成含有硅氧化物作为主成分的第1绝缘膜的工序；使水附着在所述第1绝缘膜上的工序；在所述附着了水的第1绝缘膜上，形成含有含硅聚合物的聚合物溶液层的工序；由所述聚合物溶液层生成含有硅氧化物作为主成分的第2绝缘膜的工序，所述生成第2绝缘膜的工序，包括通过所述聚合物与所述第1绝缘膜上附着的水的反应来生成硅氧化物的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1877795A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610087917.5 | 申请日期 | 2006.06.07 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 有隅修;清利正弘 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：在基底区域上形成含有硅氧化物作为主成分的第1绝缘膜的工序；使水附着在所述第1绝缘膜上的工序；在所述附着了水的第1绝缘膜上，形成含有含硅聚合物的聚合物溶液层的工序；由所述聚合物溶液层生成含有硅氧化物作为主成分的第2绝缘膜的工序；所述生成第2绝缘膜的工序，包括通过所述聚合物与所述第1绝缘膜上附着的水的反应来生成硅氧化物的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||