发明名称 热处理设备校准方法
摘要 一种对包括加热装置并用于对多层基板进行热处理的热处理设备进行校准的方法。为了能优化校准方法同时使用更廉价材料,本发明的方法特征在于包括以下步骤:提供结构不同于多层基板的测试基板;使用一组热处理参数对测试基板进行热处理以在测试基板上得到具有厚度分布的层;将该厚度分布与校准测试基板上的校准层的预定厚度分布相比;以及修正该组热处理参数,使加热装置适于补偿该厚度分布与该预定厚度分布间的差异,其中校准测试基板上的校准层的预定厚度分布与多层基板上的层的均匀厚度分布(均利用同组预定处理条件获得)对应,或者与观察到多层基板上的减少的滑移线和/或减少的晶片变形的热处理条件对应。本发明还涉及产生校准厚度分布的方法,以及校准测试基板,其包括位于其主表面之一上的具有预定厚度分布的热形成层。
申请公布号 CN1877791A 申请公布日期 2006.12.13
申请号 CN200510137816.X 申请日期 2005.12.31
申请人 硅绝缘体技术有限公司 发明人 马琳·布拉
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/477(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 黄纶伟
主权项 1、一种对热处理设备(1)进行校准的方法,该热处理设备(1)包括加热装置(5)并且用于对多层基板(15)进行热处理,该方法的特征在于包括以下步骤:a)提供与多层基板(15)相比具有不同结构的测试基板(25),b)使用一组热处理参数对所述测试基板(25)进行热处理,由此在所述测试基板(25)上形成具有厚度分布(37)的层(27),c)将所述厚度分布(37)与校准测试基板上的校准层的预定厚度分布(35)进行比较,以及d)对所述一组热处理参数进行修正,使得所述加热装置(5)适于对所述厚度分布(37)与所述预定厚度分布(35)之间的差异进行补偿,其中在利用同一组预定热处理条件进行处理时,所述校准测试基板上的所述校准层的预定厚度分布(35)与多层基板(15)上的层(23)的均匀厚度分布(33)相对应,或者与观察到减小的滑移线和/或减小的变形的多层基板(15)相对应。
地址 法国伯涅尼