| 发明名称 | 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种具较少缺陷密度的氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法，其是先于基板表面利用反应前驱物Cp<SUB>2</SUB>Mg及NH<SUB>3</SUB>进行表面处理，接续再形成一氮化镓系缓冲层于该基板上，以形成一基板与缓冲层间存在有一介面层或介面区域的半导体磊晶结构，此结构能有效地降低后续形成于氮化镓系缓冲层之上的氮化镓系磊晶层的缺陷密度而易获得高品质的磊晶层且能增进缺陷密度的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1877792A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610078387.8 | 申请日期 | 2006.05.17 |
| 申请人 | 炬鑫科技股份有限公司;赖穆人 | 发明人 | 赖穆人 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京恒信悦达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐雪琦 |
| 主权项 | 1、一种形成氮化镓系化合物半导体磊晶层的方法，其特征在于，包含有下列步骤：a.提供一基板；b.利用Cp2Mg及NH3反应前驱物对该基板表面进行表面处理；c.于该基板上形成一低温氮化镓系缓冲层；d.于该低温氮化镓缓冲层上形成一高温氮化镓系缓冲层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县平镇工业区工业二路2－5号 | ||