集成电路

摘要

本发明涉及一种集成电路，其包括MOS末级晶体管(T1)；控制端子(TxD)，用以施加控制信号，控制末级晶体管(T1)的导通和截止；充电晶体管(LT)，在末级晶体管(T1)导通时向末级晶体管(T1)的栅极(GE)施加充电电流(I1)，在末级晶体管(T1)截止时向末级晶体管(T1)的栅极(GE)施加放电电流(I2)。按照本发明设置了关断控制单元(ASE)，其在末级晶体管(T1)截止时，在第二时间间隔中向该栅极(GE)施加附加的放电电流(IZE)，而在第二时间间隔结束时关断附加的放电电流(IZE)。其用途例如用于现场总线驱动器。

主权项

1.集成电路，包括：-MOS末级晶体管(T1)，-控制端子(TxD)，用以施加控制信号，控制末级晶体管(T1)的导通和截止，-充电晶体管(LT)，其在末级晶体管(T1)导通时给末级晶体管(T1)的栅极(GE)施加充电电流(I1)，-放电晶体管(ET)，其在末级晶体管(T1)截止时给末级晶体管(T1)栅极(GE)施加放电电流(I2)，和-关断控制单元(ASE)，其在末级晶体管(T1)截止时在第一时间间隔中给该栅极(GE)施加附加的放电电流(IZE)，而第一时间间隔结束时关断附加的放电电流(IZE)，其特征在于，该关断控制单元包括：-电压确定单元(T3，IS2)，用以确定末级晶体管漏极上的电压，其给出与在末级晶体管漏极上出现的电压相关的漏极电压信号(DS)，-关断控制逻辑单元(ALE)，其测量该控制信号和漏极电压信号(DS)并据此产生放电电流控制信号(SE)，-由放电电流控制信号控制的传递门(TG)和-双极性快速放电晶体管(BT)，其中该传递门(TG)与末级晶体管的栅极和基准电位，特别是地之间的快速放电晶体管(BT)的集电极-发射极间隔串联。