| 发明名称 | 化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体衬底，其包括由p型化合物半导体构成的衬底；和包含p型杂质原子的物质，该物质结合在所述衬底的表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1877854A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610091740.6 | 申请日期 | 2006.06.12 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 西浦隆幸;堀江裕介;坪仓光隆;大滨理 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01);H01L31/0256(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L29/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 1.化合物半导体衬底，包括：由p型化合物半导体构成的衬底；和包含p型杂质原子的物质，该物质结合在所述衬底的表面上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||