发明名称 |
用于处理大面积矩形基板的高频等离子体反应器的电压非均匀性补偿方法 |
摘要 |
公开了一种真空处理设备和对于大面积和/或高频等离子体反应器中的电压和电场非均匀性的补偿方法。该方法一般适用于生产LCD、等离子体显示器和太阳能电池的矩形(或方形)大面积等离子体加工设备或任何其他使用电磁波(RF,VHF)进行加工的反应器。所述设备包括真空容器、至少两个限定内部加工空间的电极、至少一个能够与所述电极连接的电源、在所述内部加工空间内被处理基板的基板座以及进气口装置,其中,至少一个所述电极具有沿第一横截面凹陷的轮廓和沿第二横截面凸起的轮廓,且所述第一横截面平行于所述第二横截面。 |
申请公布号 |
CN1879189A |
申请公布日期 |
2006.12.13 |
申请号 |
CN200480032865.0 |
申请日期 |
2004.09.08 |
申请人 |
尤纳克西斯巴尔策斯公司 |
发明人 |
J·施米特;L·桑松嫩斯;M·埃尔亚库比;M·伊尔日克 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01) |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
杨凯;陈景峻 |
主权项 |
1.一种真空处理设备,包括:一个真空容器;至少两个限定内部加工空间的电极;至少一个能与所述电极连接的电源;在所述内部加工空间内被处理基板的基板座;以及进气口装置,其中,所述电极中至少一个具有沿第一横截面凹陷的轮廓和沿第二横截面凸起的轮廓,且所述第一横截面平行于所述第二横截面。 |
地址 |
列支敦士登巴尔策斯 |