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发明名称
A memory device working at low voltage and rapid speed
摘要
申请公布号
KR100656279(B1)
申请公布日期
2006.12.12
申请号
KR20000087135
申请日期
2000.12.30
申请人
发明人
分类号
G11C11/22
主分类号
G11C11/22
代理机构
代理人
主权项
地址
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