| 主权项 |
1.一种使用奈米碳管之天线结构的制作方法,包括以下步骤:(a)提供一基板;(b)形成一天线形状图案之吸附层于该基板上;(c)形成至少一微流道于该吸附层上;(d)注入一含有复数个奈米碳管之溶液于该至少一微流道中,使得该复数个奈米碳管水平贴附于该至少一微流道之底面上;以及(e)形成一保护层于该复数个奈米碳管上。2.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(b)所形成之吸附层系由包含NH2官能基之材料所构成。3.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(b)所形成之吸附层具有一光滑表面。4.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(b)所形成之吸附层包括一个或一个以上之吸附区域。5.如申请专利范围第4项所述之天线结构的制作方法,其中该吸附区域系呈一矩形。6.如申请专利范围第4项所述之天线结构的制作方法,其中该每个吸附区域可具有不同大小之面积。7.如申请专利范围第4项所述之天线结构的制作方法,其中该每个吸附区域上系贴附有相互平行之奈米碳管。8.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(e)所形成之保护层系由绝缘材料所构成。9.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(e)所形成之天线结构更包括至少二接点,用以电性连接外部讯号。10.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(b)所形成之天线形状图案可为一偶极天线图案或一环形天线图案中之一。11.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(c)所形成之微流道系由聚二甲基矽氧烷(PDMS, polydimethylsiloxane)之材料所构成。12.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(c)所形成之微流道更包括一用以注入该溶液之输入口以及一用以排出该溶液之输出口。13.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(d)所注入之溶液之奈米碳管的重量浓度大于30%。14.如申请专利范围第1项所述之天线结构的制作方法,其中该步骤(d)所注入之溶液系为二甲基甲胺(N,N-dimenthylformamide;DMF)。图式简单说明:图一A系为常见天线图案之示意图。图一B系为常见天线图案之示意图。图一C系为常见天线图案之示意图。图一D系为常见天线图案之示意图。图二系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图三系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图四系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图五系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图六系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图七系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图八系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图九系为本发明天线结构之制作方法的流程示意图。图十A至图十D系为可应用本发明天线结构之制作方法的偶极天线图案示意图。图十一A至图十一D系为可应用本发明天线结构之制作方法的环形天线图案示意图。 |
