| 主权项 |
1.一种进行微影制程之方法,至少包括下列步骤:提供一晶圆,其中该晶圆上具有一光阻层;使用沿第一轴方向分布的离轴双极照明装置,对只具有第二轴方向图案特征的第一光罩进行照光,以便对该光阻层进行第一曝光程序,其中可由欲定义的原始布局图案中撷取上述沿该第二轴方向之图案特征;且使用沿该第二轴方向分布的离轴双极照明装置,对只具有该第一轴方向图案特征的第二光罩进行照光,以便对该光阻层进行第二曝光程序,其中可由上述原始布局图案中撷取沿该第一轴方向之图案特征。2.如申请专利范围第1项之方法,更包括下列步骤:显影上述经过双重曝光程序之该光阻层,以便将该原始布局图案中沿该第一轴方向的图案特征与沿该第二轴方向的图案特征转移至该光阻层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该光阻层可选择正光阻材料或负光阻材料来构成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第一光罩与该第二光罩可由二元光罩(BIM)或减光相位移光罩(AttPSM)来构成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述沿该第二轴方向之图案特征为该第二轴方向具有该原始布局图案中的最小图案特征关键尺寸之图案特征,且上述沿该第一轴方向之图案特征为该第一轴方向具有该原始布局图案中的最小图案特征关键尺寸之图案特征。6.一种进行微影制程之方法,至少包括下列步骤:提供一晶圆,其中该晶圆上具有一光阻层;提供一原始布局图案,其中该原始布局图案具有沿该第二轴方向之图案特征与沿该第一轴方向之图案特征;分割该原始布局图案为:第一光罩布局图案,具有该原始布局图案中沿该第二轴方向之图案特征;以及第二光罩布局图案,具有该原始布局图案中沿该第一轴方向之图案特征;进行第一次曝光程序,将上述该第一与该第二光罩布局图案中之一种光罩布局图案,定义于该光阻层上,其中使用的离轴双极照明装置分布方向,与该种光罩布局图案之方向相反;且进行第二次曝光程序,将上述该第一与该第二光罩布局图案中之另一种光罩布局图案,定义于该光阻层上,其中使用的离轴双极照明装置分布方向,与该另一种光罩布局图案之方向相反。7.如申请专利范围第6项之方法,更包括下列步骤:显影上述经过双重曝光程序之该光阻层,以便将该原始布局图案中沿该第二轴方向的图案特征与沿该第一轴方向的图案特征转移至该光阻层。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述该光阻层可选择正光阻材料或负光阻材料来构成。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述一种光罩布局图案为该第一光罩布局图案,且只具有该原始布局图案中沿该第二轴方向之图案特征,而上述与该一种光罩布局图案方向相反之该离轴双极照明装置是沿着该第一轴方向分布,至于上述另一种光罩布局图案为第二光罩布局图案,且只具有该原始布局图案中沿该第一轴方向之图案特征,而上述与该另一种光罩布局图案方向相反之该离轴双极照明装置是沿着该第二轴方向分布。10.如申请专利范围第6项之方法,其中上述一种光罩布局图案为第二光罩布局图案,且只具有该原始布局图案中沿该第一轴方向之图案特征,而上述与该一种光罩布局图案方向相反之该离轴双极照明装置是沿着该第二轴方向分布,至于上述另一种光罩布局图案为第一光罩布局图案,且只具有该原始布局图案中沿该第二轴方向之图案特征,而上述与该另一种光罩布局图案方向相反之该离轴双极照明装置是沿着该第一轴方向分布。11.如申请专利范围第6项之方法,其中上述第一光罩与该第二光罩可由二元光罩(BIM)或减光相位移光罩(AttPSM)来构成。12.如申请专利范围第6项之方法,其中上述沿该第二轴方向之图案特征为该第二轴方向具有该原始布局图案中的最小图案特征关键尺寸之图案特征,且上述沿该第一轴方向之图案特征为该第一轴方向具有该原始布局图案中的最小图案特征关键尺寸之图案特征。图式简单说明:第一图显示了四极离轴照明装置;第二图显示本发明中用来进行微影制程之光罩,其中此光罩上具有原始布局图案;第三A图显示本发明中用来进行微影制程之沿第一轴方向分布的双极离轴照明装置;第三B图显示由原始布局图案中撷取沿第二轴方向之图案特征;第三C图显示定义沿第二轴方向之图案特征于光阻层上之情形;第四A图显示本发明中用来进行微影制程之沿第二轴方向分布的双极离轴照明装置;第四B图显示由原始布局图案中撷取沿第一轴方向之图案特征;第四C图显示定义沿第一轴方向之图案特征于光阻层上之情形;第五图显示根据本发明将原始布局图案转移至光阻层上之情形;及第六A与B图显示本发明中各种形式之双极离轴照明装置。 |
